Imprinted Antiferroelectric With Low Damage Process for High Performance Negative Capacitance NAND Flash Memory

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标题	Imprinted Antiferroelectric With Low Damage Process for High Performance Negative Capacitance NAND Flash Memory
网址	http://dx.doi.org/10.1109/led.2025.3538562
DOI	10.1109/led.2025.3538562 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Sangho Lee; Giuk Kim; Yunseok Nam; Yeongseok Jeong; Taeho Kim; et al 出版日期：2025-04-01
求助人	醉熏的井在 2026-08-07 21:17:55 发布自湖北，悬赏 10 积分
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