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 Growth of Nanometer-Thick γ-InSe on Si(111) 7 × 7 by Molecular Beam Epitaxy for Field-Effect Transistors and Optoelectronic Devices 分子束外延法在Si（111）7 × 7上生长纳米级γ-InSe用于场效应晶体管和光电器件
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期刊：ACS Applied Nano Materials 作者：Derrick Liu; Maria Hilse; Andrew R. Lupini; Joan M. Redwing; Roman Engel‐Herbert 出版日期：2023-08-04 |
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