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  On the Suitability of 3C-Silicon Carbide as an Alternative to 4H-Silicon Carbide for Power Diodes 3C-碳化硅作为4H-碳化硅替代品在功率二极管中的适用性
相关领域
碳化硅
二极管
制作
材料科学
宽禁带半导体
工程物理
电源模块
功率半导体器件
范围（计算机科学）
功率（物理）
肖特基二极管
硅
电子工程
电力电子
碳化物
电压
计算机科学
光电子学
电气工程
工程类
物理
病理
复合材料
冶金
医学
程序设计语言
替代医学
量子力学
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Industry Applications 作者：Anastasios Arvanitopoulos; Marina Antoniou; Samuel Perkins; Michael R. Jennings; Manuel Belanche Guadas; et al 出版日期：2019-04-17 |
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