标题 |
![]() 沟道厚度1.2 nm/0.6nm的高驱动低漏电流MBC FET
相关领域
泄漏(经济)
材料科学
电气工程
频道(广播)
光电子学
计算机科学
电子工程
工程类
宏观经济学
经济
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者:Xiaohe Huang; Chunsen Liu; Zhaowu Tang; Senfeng Zeng; Liwei Liu; et al 出版日期:2020-12-12 |
求助人 | |
下载 | |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|