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  The Effects of a Gate Bias Condition on 1.2 kV SiC MOSFETs during Irradiating Gamma-Radiation γ辐射期间栅偏置条件对1.2kVSiONS的影响
相关领域
材料科学
MOSFET
光电子学
栅氧化层
辐照
吸收剂量
碳化硅
随时间变化的栅氧化层击穿
阈值电压
场效应晶体管
晶体管
电气工程
电压
物理
核物理学
工程类
冶金
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期刊：Micromachines 作者：Chaeyun Kim; Hyowon Yoon; Yeongeun Park; Sangyeob Kim; Gyuhyeok Kang; et al 出版日期：2024-04-04 |
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