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Metamorphic In0.53Ga0.47As p-i-n photodetector grown on GaAs substrates by low-pressure MOCVD
用低压MOCVD法在GaAs衬底上生长变质In0.53Ga 0.47 As p-i-n光电探测器
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期刊:Chinese Optics Letters 作者:Qi Wang; Lü Jihe; Deping Xiong; Jing Zhou; Hui Huang; et al 出版日期:2007-06-10 |
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