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 Effects of SiO2 cap annealing on MOS interfaces formed on Mg-doped p-type GaN surface SiO2覆盖退火对Mg掺杂p型GaN表面MOS界面的影响
相关领域
兴奋剂
退火（玻璃）
材料科学
光电子学
冶金
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| 其它 |
期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Yining Jiao; Masanobu Takahashi; Taketomo Sato; Masamichi Akazawa 出版日期：2024-09-02 |
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脑洞疼
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