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标题
Experimental evaluation of interface states during time-dependent dielectric breakdown of GaN-based MIS-HEMTs with LPCVD-SiNx gate dielectric*
相关领域
材料科学 随时间变化的栅氧化层击穿 栅极电介质 电介质 光电子学 压力（语言学） 介电强度 阈值电压 泄漏（经济） 磁滞 栅极电压 电压 击穿电压 凝聚态物理 晶体管 电气工程 语言学 哲学 物理 经济 宏观经济学 工程类
网址
https://doi.org/10.1088/1674-1056/ab8895
DOI
10.1088/1674-1056/ab8895 doi
其它 期刊：Chinese Physics B
作者：Yawen Zhao; Liuan Li; Taotao Que; Qiuling Qiu; Liang He; et al
出版日期：2020-04-12
求助人
季研究生 在 2025-10-12 19:39:18 发布自重庆，悬赏 10 积分
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