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Source/Drain Asymmetry in InGaAs Vertical Nanowire MOSFETs 相关领域
不对称
跨导
纳米线
材料科学
光电子学
静电学
阈下斜率
阈下传导
砷化镓
饱和(图论)
MOSFET
纳米技术
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Xin Zhao; Christopher Heidelberger; Eugene A. Fitzgerald; Jesús A. del Alamo 出版日期:2017-04-06 |
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