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  Relaxation mechanism of GaP grown on 001 Si substrates: influence of defects on the growth of AlGaP layers on GaP/Si templates 相关领域
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期刊：The Philosophical Magazine A Journal of Theoretical Experimental and Applied Physics 作者：Konstantinos Pantzas; G. Beaudoin; Myriam Bailly; Aude Martin; Arnaud Grisard; et al 出版日期：2021-08-27 |
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