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 Positive Bias Temperature Instability and Hot Carrier Degradation of Back-End-of-Line, nm-Thick, In2O3 Thin-Film Transistors 相关领域
材料科学
降级（电信）
电气工程
物理
光电子学
工程类
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yen-Pu Chen; Mengwei Si; Bikram Kishore Mahajan; Zehao Lin; Peide D. Ye; et al 出版日期：2021-12-10 |
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