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Effect of Base Doping Concentration on Radiation-Resistance for GaAs Sub-Cells in InGaP/GaAs/Ge |
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Dalia Elfiky; M. Yamaguchi; T. Sasaki; T. Takamoto; C. Morioka; et al 出版日期:2010-12-20 |
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(2025-6-4)