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  Degradation of on-current in 4 kV β-Ga2O3 trench Schottky barrier diodes under high voltage step stressing 相关领域
材料科学
光电子学
肖特基二极管
沟槽
二极管
降级（电信）
击穿电压
肖特基势垒
俘获
压力（语言学）
宽禁带半导体
电介质
高压
功勋
电压
介电强度
可靠性（半导体）
电流密度
蚀刻（微加工）
金属半导体结
导电体
电容器
半导体器件
硅
等效串联电阻
阈值电压
带隙
整改
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Aditya K. Bhat; Sai Charan Vanjari; Matthew D. Smith; Martin Kuball 出版日期：2025-09-15 |
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