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Understanding the limits of ultrathin SiO2 and SiON gate dielectrics for sub-50 nm CMOS
了解亚50nm CMOS超薄SiO2和Si栅介质的极限
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期刊:Microelectronic Engineering 作者:M. L. Green; T. Sorsch; G. Timp; David A. Muller; B. E. Weir; et al 出版日期:1999-09-01 |
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