Improving dynamic performance for split-gate trench power MOSFETs using variable vertical doping profile

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标题	Improving dynamic performance for split-gate trench power MOSFETs using variable vertical doping profile 利用可变垂直掺杂分布改善分裂栅沟槽功率MOSFETs动态性能相关领域沟槽兴奋剂材料科学变量（数学）功率MOSFET 光电子学 MOSFET 计算机科学电气工程工程类晶体管电压数学纳米技术数学分析图层（电子）
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.micrna.2022.207446
DOI	10.1016/j.micrna.2022.207446 doi
求助人	xuezhong 在 2023-09-20 05:27:31 发布自美国，悬赏 10 积分
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