标题 |
Characterization of Early Breakdown of SiC MOSFET Gate Oxide by Voltage Ramp Tests
SiC MOSFET栅氧化层早期击穿的电压斜坡表征
相关领域
随时间变化的栅氧化层击穿
材料科学
栅氧化层
击穿电压
可靠性(半导体)
光电子学
MOSFET
介电强度
薄脆饼
电气工程
阈值电压
栅极电介质
电压
负偏压温度不稳定性
电介质
工程类
物理
功率(物理)
晶体管
量子力学
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其它 |
期刊: 作者:Yuqian Zheng; Rahul Potera; Tony Witt 出版日期:2021-03-01 |
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