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Converter Topology for Megawatt Scale Applications With Reduced Filtering Requirements, Formed of IGBT Bridge Operating in the 1000 Hz Region With Parallel Part-Rated High-Frequency SiC MOSFET Bridge
用于降低滤波要求的兆瓦级应用的变换器拓扑结构,由工作在1000 Hz区域的IGBT桥和并联的部分额定高频SiC MOSFET桥组成
相关领域
绝缘栅双极晶体管
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期刊:IEEE Transactions on Power Electronics 作者:Ning Li; Marlee Basurto Macavilca; Chenqi Wu; Stephen Finney; Paul D. Judge 出版日期:2023-10-14 |
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