| 标题 |
 Light Induced Recombination Center at SiO2/Si Interface by the Reactive Plasma Deposition 相关领域
材料科学
波长
等离子体
渗透（战争）
穿透深度
光电子学
离子
图层（电子）
沉积（地质）
可见光谱
不透明度
光学
复合材料
化学
古生物学
物理
有机化学
运筹学
量子力学
沉积物
工程类
生物
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Electronic Materials Letters 作者：Tomohiko Hara; Taichi Tanaka; Kazuhito Nakagawa; Yuki Isogai; Takefumi Kamioka; Yoshio Ohshita 出版日期：2021-05-26 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
渡人舟
张欢馨
aubusson
赵赶超
GingerF
22336
机灵的沂
学术孤儿
vampv
Criminology34
飞快的千万
Kao
无限小土豆
MOMO
你嵙这个期刊没买
Komorebi
核桃
生性不爱说话
踏实一德
Oracle
皖公网安备34019202002308
