| 标题 |
Dark current improvement of the type-II InAs / GaSb superlattice photodetectors by using a gate bias control |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Journal of the Korean Physical Society 作者:Ha Sul Kim; S. Myers; B. Klein; A. Kazemi; S. Krishna; et al 出版日期:2015-03-07 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)