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  Threshold Voltage Adjustment by Varying Ge Content in SiGe p-Channel for Single Metal Shared Gate Complementary FET (CFET) 通过改变SiGe p沟道中Ge含量来调节单金属共享栅极互补场效应晶体管(CFET)的阈值电压
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期刊：Nanomaterials 作者：Chong-Jhe Sun; Chen-Han Wu; Yi-Ju Yao; Shan-Wen Lin; Siao-Cheng Yan; et al 出版日期：2022-10-21 |
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