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  SiC Heterojunction Trench MOSFET with a Buried P-Type Pillar for the Low Gate-Drain Charge and Switching Loss 具有掩埋P型柱的SiC异质结沟槽MOSFET用于低栅漏电荷和开关损耗
相关领域
MOSFET
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期刊：Micromachines 作者：Shenglong Ran; Zhiyong Huang; Shengdong Hu; Han Yang 出版日期：2022-02-01 |
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