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 Time-resolved cathodoluminescence measurement of the effects of α -particle-related damage on minority hole lifetime in free-standing n-GaN α粒子相关损伤对独立n-GaN中少数空穴寿命影响的时间分辨阴极发光测量
相关领域
阴极发光
宽禁带半导体
材料科学
载流子寿命
光电子学
硅
发光
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| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：LeighAnn S. Larkin; Mi‐Hee Ji; Gregory A. Garrett; Vijay Parameshwaran; J. D. Demaree; et al 出版日期：2024-10-07 |
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