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Degradation monitoring of SiC MOSFET gate-oxide based on differential mode conducted interference spectrum 基于差模传导干涉谱的SiC MOSFET栅氧化层退化监测
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期刊:Microelectronics Reliability 作者:Ming-Xing Du; Guixu Yang; Zhihui Ren; Chengpeng Chu; Ming-Xing Du; et al 出版日期:2022-11-26 |
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