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 Atomic layer etching technique for InAlN/GaN heterostructure with AlN etch-stop layer 具有AlN刻蚀停止层的InAlN/GaN异质结构原子层刻蚀技术
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Fangzhou Du; Yang Jiang; Zepeng Qiao; Zhanxia Wu; Chuying Tang; et al 出版日期：2022-02-01 |
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