High-performance solar-blind UV bipolar junction phototransistor based on a vertical Pt/Ga2O3/p-Si Schottky emitter structure

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标题	High-performance solar-blind UV bipolar junction phototransistor based on a vertical Pt/Ga2O3/p-Si Schottky emitter structure 基于垂直Pt/Ga2O3/p-Si肖特基发射极结构的高性能日盲紫外双极结光电晶体管相关领域共发射极光电子学光电二极管材料科学肖特基二极管肖特基势垒 p-n结半导体二极管
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2024.176668
DOI	10.1016/j.jallcom.2024.176668 doi
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