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 Surface Modification of a Titanium Carbide MXene Memristor to Enhance Memory Window and Low‐Power Operation 碳化钛MXene忆阻器的表面改性提高存储窗口和低功耗工作
相关领域
记忆电阻器
材料科学
神经形态工程学
电阻随机存取存储器
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Navaj B. Mullani; Dhananjay D. Kumbhar; Do‐Hyeon Lee; Mi Ji Kwon; Su‐yeon Cho; et al 出版日期：2023-03-24 |
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