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标题
High-Performance InSe Transistors with Ohmic Contact Enabled by Nonrectifying Barrier-Type Indium Electrodes
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DOI
10.1021/acsami.8b10576 doi
其它 期刊:ACS Appl Mater Interfaces
作者:Huang YT, Chen YH, Ho YJ, Huang SW, Chang YR, Watanabe K, Taniguchi T, Chiu HC, Liang CT, Sankar R, Chou FC, Chen CW, Wang WH
出版日期:2018-09-21
求助人
zz 在 2026-09-12 17:49:06 发布自江苏,悬赏 10 积分
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