| 标题 |
Recombination efficiency in c-plane (In,Ga)N/GaN quantum wells: saturation of localisation sites versus Auger–Meitner recombination c面(In,Ga)N/GaN量子阱中的复合效率:定位位点饱和与Auger-Meitner复合
相关领域
重组
俄歇效应
量子阱
饱和(图论)
原子物理学
螺旋钻
物理
平面(几何)
化学
光学
激光器
几何学
基因
组合数学
生物化学
数学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Journal of Physics D Applied Physics 作者:R M Barrett; D D Dyer; Joshua M. McMahon; Stefan Schulz; Menno J. Kappers; et al 出版日期:2024-10-28 |
| 求助人 | |
| 下载 | 暂无链接,等待应助者上传 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|