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标题
Over 200 cm2 V−1 s−1 of electron inversion channel mobility for AlSiO/GaN MOSFET with nitrided interface
具有氮化界面的AlSiO/GaN MOSFET的电子反转沟道迁移率超过200 cm2 V−1 s−1
相关领域
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网址
https://doi.org/10.35848/1882-0786/ace33c
DOI
10.35848/1882-0786/ace33c doi
其它 期刊：Applied Physics Express
作者：Kenji Ito; Shiro Iwasaki; Kazuyoshi Tomita; Emi Kano; Nobuyuki Ikarashi; et al
出版日期：2023-06-30
求助人
平等创死每一个人 在 2025-12-04 13:29:44 发布自黑龙江，悬赏 10 积分
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