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 Optimization of SiGe interface properties with ozone oxidation and a stacked HfO2/Al2O3 dielectric for a SiGe channel FinFET transistor 臭氧氧化和堆叠HfO2/Al2O3电介质对SiGe沟道FinFET晶体管SiGe界面特性的优化
相关领域
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Anlan Chen; Chun Li; Qide Yao; Xueli Ma; Yongliang Li; et al 出版日期：2022-10-13 |
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