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 Compositionally graded AlGaN hole source layer for deep-ultraviolet nanowire light-emitting diode without electron blocking layer 用于深紫外纳米线发光二极管的无电子阻挡层的成分梯度AlGaN空穴源层
相关领域
材料科学
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期刊：Nanotechnology 作者：Muhammad Nawaz Sharif; Muhammad Usman; Mussaab I. Niass; Juin J. Liou; Fang Wang; et al 出版日期：2021-08-26 |
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