| 标题 |
 High Breakdown Voltage (<tex>$≫$</tex>1000 V) Semi-Superjunction MOSFETs Using 600-V Class Superjunction MOSFET Process 高击穿电压（tex $ð $/tex 1000 V）采用600-V级超结场效应晶体管工艺的半超结场效应晶体管
相关领域
MOSFET
击穿电压
材料科学
功率MOSFET
光电子学
电气工程
二极管
电压
欧米茄
制作
晶体管
物理
工程类
病理
替代医学
医学
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Wataru Saito; Ichiro Omura; Satoshi Aida; S. Koduki; Masaru Izumisawa; et al 出版日期：2005-09-20 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
cdercder
昏睡的蟠桃
yufanhui
余味
bc
剑指东方是为谁
赫枫
高大凌寒
机灵柚子
平常的毛豆
Thien
非而者厚
andrele
VDC
核桃
遇上就这样吧
SYLH
飘零无边
back you up
Singularity
皖公网安备34019202002308
