Electron Mobility Enhancement in GeSn n-Channel MOSFETs by Tensile Strain

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标题	Electron Mobility Enhancement in GeSn n-Channel MOSFETs by Tensile Strain 拉伸应变增强GeSn n沟道MOSFET中的电子迁移率
网址	https://doi.org/10.1109/LED.2020.3041051
DOI	10.1109/LED.2020.3041051 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yen Chuang; Chia-You Liu; Guang-Li Luo; Jiun-Yun Li 出版日期：2021
求助人	傲娇石头在 2025-08-29 11:51:12 发布，悬赏 10 积分
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Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

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