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![]() E-HEMT GaN技术中抑制Vth不稳定性和提高栅极可靠性的全耗尽p-GaN栅极概念
相关领域
高电子迁移率晶体管
可靠性(半导体)
光电子学
材料科学
不稳定性
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:S. Mouhoubi; Shradha Gupta; Walid El Huni; Hüseyin Çakmak; Gilberto Curatola 出版日期:2025-07-24 |
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