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 The fully depleted p-GaN gate concept for Vth instability suppression and better gate reliability in E-HEMT GaN technology E-HEMT GaN技术中抑制Vth不稳定性和提高栅极可靠性的全耗尽p-GaN栅极概念
相关领域
高电子迁移率晶体管
可靠性（半导体）
光电子学
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：S. Mouhoubi; Shradha Gupta; Walid El Huni; Hüseyin Çakmak; Gilberto Curatola 出版日期：2025-07-24 |
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