| 标题 |
 Gate Leakage Current Characterization and Remaining Useful Lifetime Prediction in Silicon Carbide MOSFETs 碳化硅MOSFET栅极漏电流特性及剩余使用寿命预测
相关领域
碳化硅
材料科学
表征（材料科学）
光电子学
泄漏（经济）
MOSFET
工程物理
电子工程
电气工程
纳米技术
晶体管
工程类
电压
冶金
宏观经济学
经济
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Transportation Electrification 作者：Mustafa Murat Sezer; Fatih Akici; Mojtaba Afshar; Bhanu Teja Vankayalapati; Bilal Akin 出版日期：2025-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
嘻嘻哈哈
Copyright
cdercder
Nole
OK
Oracle
Sure
Criminology34
GingerF
GG
arniu2008
乐空思
行走的荷尔蒙
sagitar
清平道人
无情的聪健
fantasy
xingxing
披着羊皮的狼
皖公网安备34019202002308
