| 标题 |
 Gate Leakage Current Characterization and Remaining Useful Lifetime Prediction in Silicon Carbide MOSFETs 碳化硅MOSFET栅极漏电流特性及剩余使用寿命预测
相关领域
碳化硅
材料科学
表征（材料科学）
光电子学
泄漏（经济）
MOSFET
工程物理
电子工程
电气工程
纳米技术
晶体管
工程类
电压
冶金
宏观经济学
经济
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Transportation Electrification 作者：Mustafa Murat Sezer; Fatih Akici; Mojtaba Afshar; Bhanu Teja Vankayalapati; Bilal Akin 出版日期：2025-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
CAOHOU
蛇從革
机灵柚子
昏睡的蟠桃
打卡下班
eric888
乐乐乐乐乐乐
cc
chenmi
jie
23
YamDaamCaa
pluto
pcr163
夏来
kingwill
Zoo
xinghy
冥冥之极为昭昭
ED
皖公网安备34019202002308
