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标题
A study of gate recess-width control of InP-based HEMTs by a Si3N4 passivation layer
Si3N4钝化层对InP基HEMT栅极凹槽宽度控制的研究
相关领域
钝化 材料科学 光电子学 图层（电子） 制作 晶体管 化学机械平面化 电介质 高电子迁移率晶体管 纳米技术 电气工程 工程类 电压 医学 病理 替代医学
网址
https://doi.org/10.1016/j.mee.2021.111675
DOI
10.1016/j.mee.2021.111675 doi
其它 期刊：Microelectronic Engineering
作者：Yuying Xie; Mingsai Zhu; Jianan Deng; Yifang Chen
出版日期：2021-12-03
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CodeCraft 在 2025-08-27 15:30:13 发布，悬赏 10 积分
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