A study of gate recess-width control of InP-based HEMTs by a Si3N4 passivation layer

钝化 材料科学 光电子学 图层(电子) 制作 晶体管 化学机械平面化 电介质 高电子迁移率晶体管 纳米技术 电气工程 工程类 电压 医学 病理 替代医学
作者
Yuying Xie,Mingsai Zhu,Jianan Deng,Yifang Chen
出处
期刊:Microelectronic Engineering [Elsevier BV]
卷期号:253: 111675-111675 被引量:3
标识
DOI:10.1016/j.mee.2021.111675
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