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 Reduction of internal stress in InGaZnO (IGZO) thin film transistors by ultra-thin metal oxide layer 超薄金属氧化物层降低InGaZnO（IGZO）薄膜晶体管内应力
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Shuo Zhang; Bin Liu; Xi Zhang; Congyang Wen; Haoran Sun; et al 出版日期：2024-01-12 |
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chaohuix
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2025-08-27 14:08:11 发布，悬赏 10 积分
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