Ultrahigh field-effect mobility of 147.5 cm2/Vs in ultrathin In2O3 transistors via passivating the surface of polycrystalline HfO2 gate dielectrics

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标题	Ultrahigh field-effect mobility of 147.5 cm2/Vs in ultrathin In2O3 transistors via passivating the surface of polycrystalline HfO2 gate dielectrics
网址	https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/doi/10.1063/5.02401...
DOI	10.1063/5.0240110 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Taikyu Kim; Seung Ho Ryu; Jihoon Jeon; Taeseok Kim; In-Hwan Baek; Seong Keun Kim 出版日期：2025-01-21
求助人	canjian1943 在 2026-05-20 22:10:16 发布自河南，悬赏 10 积分
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