High-performance vertical β-Ga2O3 Schottky barrier diodes utilizing sputtered p-NiO double mesa junction termination extension

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标题	High-performance vertical β-Ga2O3 Schottky barrier diodes utilizing sputtered p-NiO double mesa junction termination extension
网址	https://doi.org/10.1116/6.0005386
DOI	10.1116/6.0005386 doi
其它	期刊：Journal of Vacuum Science & Technology A 作者：Hao Peng; Jiale Huo; Xuefeng Zheng; Guangwei Xu; Xuanze Zhou; Chong Wang 出版日期：2026
求助人	激昂的海蓝在 2026-05-26 15:53:28 发布自福建，悬赏 12 积分
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