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 Transverse dielectric and lateral channel band engineering of drain-side and source-side injection in Ge-based charge-trapping memory cells for energy-efficient applications 用于节能应用的锗基电荷俘获存储单元中漏极侧和源极侧注入的横向介电和横向沟道带工程
相关领域
俘获
电介质
横截面
电荷（物理）
材料科学
光电子学
频道（广播）
分子物理学
物理
凝聚态物理
电信
计算机科学
量子力学
生物
工程类
结构工程
生态学
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| 其它 |
期刊：Journal of Computational Electronics 作者：Yu-Hsuan Chen; Hung-Jing Teng; Chenhsin Lien; Chun-Hsing Shih 出版日期：2023-02-01 |
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Tina
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2025-08-30 19:56:07 发布，悬赏 10 积分
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