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Evolution of Ge wetting layers growing on smooth and rough Si (0 0 1) surfaces: Isolated {1 0 5} facets as a kinetic factor of stress relaxation 生长在光滑和粗糙Si(0 0 1)表面上的Ge润湿层的演化:孤立{1 0 5}小面作为应力松弛的动力学因子
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期刊:Applied Surface Science 作者:Larisa V. Arapkina; К. В. Чиж; Vladimir P. Dubkov; Mikhail S. Storozhevykh; Vladimir A. Yuryev 出版日期:2022-09-30 |
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