Chalcogenide halideScXY (X = S,Se,Te;Y = Cl,Br,I) monolayers as gate dielectrics for two-dimensional field-effect transistors

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标题	Chalcogenide halideScXY (X = S,Se,Te;Y = Cl,Br,I) monolayers as gate dielectrics for two-dimensional field-effect transistors 硫族化物卤化物Cxy(X=S，Se，Te；Y=Cl，Br，I）单层作为二维场效应晶体管的栅极电介质相关领域材料科学算法计算机科学
网址	https://link.aps.org/article/10.1103/zm12-3qkz
DOI	10.1103/zm12-3qkz doi
其它	期刊：Physical Review Applied 作者：Huan Liu; Lixiang Rao; Junjie Qi; Gang Tang 出版日期：2025-07-19
求助人	lxt 在 2025-09-14 11:00:54 发布自陕西，悬赏 10 积分
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