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Characterizing Electromigration Effects in a 16nm FinFET Process Using a Circuit Based Test Vehicle 使用基于电路的测试车辆来描述16 nmfin场效应晶体管工艺中的电迁移效应
相关领域
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期刊:2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者:Nakul Pande; Chen Zhou; M. -L. Lin; Rita Fung; Rick Wong; et al 出版日期:2019-12-01 |
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