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 Comprehensive Investigation of Gate Oxide Instability in 4H-SiC MOSFETs and MOS Capacitors Under High Gate Bias Stress 高栅极偏压下4H-SiC MOSFETs和MOS电容器栅极氧化物不稳定性的综合研究
相关领域
电容器
负偏压温度不稳定性
材料科学
MOSFET
栅氧化层
光电子学
压力（语言学）
随时间变化的栅氧化层击穿
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氧化物
电气工程
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电子工程
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工程类
电压
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Haonan Chen; Kanghua Yu; Jieqin Ding; Chengzhan Li; Jun Wang; et al 出版日期：2023-07-20 |
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