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标题
Electronic properties of extended surface defects in homoepitaxial GaN diodes
同质外延GaN二极管中扩展表面缺陷的电子特性
相关领域
材料科学 光电子学 宽禁带半导体 二极管
网址
https://doi.org/10.1063/5.0274143
DOI
10.1063/5.0274143 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Andrew Winchester; Valery Ortiz Jimenez; Dara Weiss; Curt A. Richter; Behrang H. Hamadani; et al
出版日期：2025-07-21
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背后的映寒 在 2025-12-26 16:06:47 发布自湖北，悬赏 10 积分
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