| 标题 |
 Ferroelectric HfZrOx-based MoS2 negative capacitance transistor with ITO capping layers for steep-slope device application 用于陡坡器件的具有ITO覆盖层的铁电HfZrOx基MoS2负电容晶体管
相关领域
铁电性
材料科学
电容
光电子学
晶体管
负阻抗变换器
场效应晶体管
阈下斜率
氧化铟锡
金属浇口
栅氧化层
图层（电子）
电极
纳米技术
电介质
电气工程
电压
化学
电压源
物理化学
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Jing Xu; Shuye Jiang; Min Zhang; Hao Zhu; Lin Chen; et al 出版日期：2018-03-05 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
无极微光
Jared
shhoing
BowieHuang
香蕉诗蕊
yznfly
热心市民小红花
带头大哥
Zx_1993
风吹麦田
niNe3YUE
子车茗
Stella
核桃
小青椒
gexzygg
欣慰元蝶
昏睡的蟠桃
whoKnows
ZeKaWa
pluto
机灵的波比
彭于彦祖
皖公网安备34019202002308
