Bit upset and performance degradation of NAND flash memory induced by total ionizing dose effects

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标题	Bit upset and performance degradation of NAND flash memory induced by total ionizing dose effects 相关领域与非门心烦意乱阈值电压泄漏（经济）电压闪存闪光灯（摄影）电子线路计算机科学电子工程材料科学逻辑门晶体管电气工程计算机硬件物理工程类光学经济机械工程宏观经济学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0139928 AI链接 doi.org doaj.orgdoi.org
DOI	10.1063/5.0139928 doi
其它	期刊：AIP Advances 作者：Jiangkun Sheng; Peng Xu; Mengtong Qiu; Yinhong Luo; Lili Ding; et al 出版日期：2023-04-01
求助人	yyyn 在 2026-01-08 20:21:17 发布自天津，悬赏 10 积分
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