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  Investigation of Source/Drain Recess Engineering and Its Impacts on FinFET and GAA Nanosheet FET at 5 nm Node 5 nm节点源/漏凹槽工程及其对FinFET和GAA纳米片FET的影响研究
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纳米片
材料科学
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期刊：Electronics 作者：Dawei Wang; Xin Sun; Tao Liu; Kun Chen; Jingwen Yang; et al 出版日期：2023-02-03 |
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