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标题
Effect of Schottky annealing temperature on reverse leakage current of 6500 V 4H-SiC JBS diodes
肖特基退火温度对6500V 4H-SiC JBS二极管反向漏电流的影响
相关领域
肖特基二极管 反向漏电流 退火（玻璃） 二极管 材料科学 肖特基势垒 光电子学 反向偏压 泄漏（经济） 金属半导体结 复合材料 宏观经济学 经济
网址
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2023.127103
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2023.127103 doi
其它 期刊：Journal of Crystal Growth
作者：Xiping Niu; Xiaoguang Wei; Yunlai An; Ling Sang; Peifei Wu; et al
出版日期：2023-01-26
求助人
研友_LwMooZ 在 2025-12-05 18:23:39 发布自重庆，悬赏 10 积分
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